لایه های نازک شفاف رسانا از نانولوله های کربنی چند جداره/ نانوسیم نقره با استفاده از پوشش دهی چرخشی ساخته شدند. اثر بازپخت نمونه های ساخته شده از دمای اتاق تا دمای ºc350 به مدت 30 دقیقه به منظور بهبود خواص الکتریکی و نوری لایه ها بررسی گردید. اندازه گیری ها نشان می داد که بازپخت لایه های نازک ساخته شده در بهبود خواص لایه ها مؤثرند. دمای بازپخت بهینه برای بهبود خواص مذکور، دمای ºc285 به دست آمد....

در این پروژه ابتدا نانوسیم های کبالت- پلاتین به روش الکتروانباشت تهیه و سپس به بررسی خواص مغناطیسی آن ها پرداخته شد. برای بررسی خواص مغناطیسی نانوسیم های بس لایه ای و آلیاژی کبالت- پلاتین، این نانوسیم ها در نانوحفره های ایجاد شده در سطح زیرلایه سیلیکون، انباشت داده شدند. با محاسبات مغناطومقاومت مشخص شد که با کاهش ضخامت لایه-های بس لایه ای، مغناطومقاومت بزرگ به مغناطومقاومت ناهمسانگرد تبدیل می ش...

نانوسیم های مغناطیسی آلیاژی در سال های اخیر، بواسطه ی خواص gmr فوق العاده ای که در چند لایه های مغناطیسی / غیر مغناطیسی از خود نشان می دهند، به طور گسترده مورد تحقیق واقع شده اند. به-منظور بهینه سازی شرایط الکترو انباشت برای ساخت و آماده سازی چند لایه های مغناطیسی /غیرمغناطیسی، اثر شرایط الکتروانباشت پالسی روی کاهش مغناطش نانوسیم های آلیاژی fecocu در غلظت های مختلف cu مورد بررسی و مطالعه قرار د...

در سال های اخیر نانوسیم های مغناطیسی چندلایه به ویژه چندلایه های مغناطیسی/غیرمغناطیسی، بواسطه هندسه ی منحصر به فرد و تغییرات بزرگ مقاومت که در حضور میدان از خود نشان می دهند، اهمیت نانومغناطیس را به طور قابل ملاحظه افزایش داده اند. در راستای تحقیق و بررسی این نانوساختارها، نانوسیم های چندلایه fe/cu، با بهینه سازی شرایط الکتروانباشت پالسی و در قالب اکسید آندی ساخته شدند. در این پژوهش ساختار و ری...

در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسی...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...

فناوری نانو شامل تصویرسازی، اندازه گیری، تولید و استفاده از اجسام در مقیاس های بین 1 تا 100 نانومتر می باشد. نانوسیم ها ساختارهای تک بعدی با قطری از مرتبه ی چند نانومتر و طول چند میکرون می باشند که نسبت سطح به حجم بالایی دارند و بنابراین خواص فیزیکی آن ها با سایر ساختارها متفاوت است. در این تحقیق، از روش اکسیداسیون مستقیم جهت تولید نانوسیم های اکسیدمس، استفاده شد. طی این روش نانوسیم ها پس از حر...

در این تحقیق نانوسیم های اکسید قلع به روش بخار- مایع- جامد(vls) و رشد در فاز بخار سنتز شده است. تاثیر زمان بر روی رشد نانوسیم ها، تاثیر ضخامت لایه کاتالیستی، تاثیر حضور کاتالیست در روشvls، تاثیر دمای سنتز و تاثیر فاصله زیرلایه تا منبع پودری(دمای زیرلایه) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان داد که هر چه مدت زمان سنتز افزایش یابد طول نانوسیم های بیشتر می شود. همچنین بررسی اثر دما نشان داد ...

آرایه ای از نانوسیم های اکسید روی از طریق لایه نشانی فلز طلادر محیط خلأ بر روی زیرلایه ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای oc 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگویپراش پرتو ایکس مجموعه ای از قله های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روینشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم های اکسیدروی باطول چندین میکرون تشکیل شده اند. مطالعات طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ی ایکس...